台EUV光刻机，一天耗电3万度？3nm工厂年耗电量将达70亿度
台积电造的每一颗芯片需要经过数千道工序才能完工，而这其中需要利用大量的半导体设备，并一直维持恒温、高压等各种复杂环境，这一切都需要电，造的芯片越多、制程越先进，用的电就越多。
数据显示，先进制程机台用电量占台积电公司能源使用50%以上，同时考虑先进制程机台数量逐年增加，台积电对于电能的消耗将进一步快速增长。
由于7nm以下的先进工艺制程必须要使用EUV光刻机，而EUV光刻机的大量使用将会对台湾的供电能力提出巨大挑战。
SK 海力士此前曾表示，“EUV 的能源转换效率（wall plug efficiency）只有 0.02% 左右。”而造成转换率低的一大原因是，极紫外光本身的损耗过大。
“极紫外光物理特性与一般常见的紫外光差异极大。这种光非常容易被吸收，连空气都不透光，所以整个生产环境必须抽成真空；同时，也无法以玻璃透镜折射，必须以硅与钼制成的特殊镀膜反射镜，来修正光的前进方向，而且每一次反射仍会损失 3 成能量，但一台 EUV 机台得经过十几面反射镜，将光从光源一路导到晶圆，最后大概只能剩下不到 2% 的光线。”这也是 EUV 机台如此耗电的主因之一。
如果按照前面的EUV能源转换效率只有0.02% 来计算，目前先进的能输出 250 瓦功率的 EUV的机台，需要输入0.125万千瓦的电力才能达到，这个耗电量是传统氩氟雷射的 10 倍以上。换句话来说，就是一台输出功率250W的EUV机器工作一天，将会消耗3万度电，这个数字确实吓人。
根据芯智讯了解，要想达到 250 瓦功率的 EUV输出，需要将多台13kW CO2激光器串联接通达到所需的功率要求，最终从等离子体源产生所需的EUV光输出。高科技产生极紫外光的过程非常低效，过去被人们比拟为“用核反应堆提供动力”，但也成为了满足半导体工业批量生产要求扩展EUV输出功率的唯一可行方式。
另外需要指出的是，如此大的耗电量也不可避免的带来了很大的发热量，因此需要部署相应的冷却系统，而这也将非常的耗电。
根据今年7月台湾媒体的报道称，随着台积电5nm的大规模量产，台积电今年的单位产品用电量相比去年上升了17.9%，而该公司拟定的目标则为降低11.5%。台媒称，以执行力著称的台积电管理团队，如此大幅落后设定目标，是极罕见的事。
台积电对此解释称，随着新制程技术与制程复杂度增加，新制程机台用电量上升，导致10nm以下制程产品用电量较16nm以上的制程倍增。有分析称，极可能是EUV导入的速度与量产之后的耗电量超乎预期。
根据预计，一个7nm的EUV产线可能只需要1台ASML EUV光刻机NXE 3400B即可，但是到了3nm制程产线，如果继续用NXE 3400B，就可能需要4台才能实现，耗电量将更为惊人。
不过，ASML也正在提升光刻机的效率，比如已推出的改进的NXE:3400C的产能从之前的125WPH（每小时处理晶圆数）提升到了175WPH，同时还将推出针对3nm及